Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 340 A 104.1 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 735-236
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR532DP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
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- 735-236
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR532DP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 340A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.008Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 99.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 340A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.008Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 99.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
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