Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 90 W, 10-Pin PowerPack
- RS Best.-Nr.:
- 735-276
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ186ELR-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.1.263
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.1.26 |
| 10 - 24 | CHF.0.83 |
| 25 - 99 | CHF.0.43 |
| 100 - 499 | CHF.0.42 |
| 500 + | CHF.0.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-276
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ186ELR-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPack | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0296Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 90W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Länge | 7.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPack | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0296Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 90W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.3 mm | ||
Länge 7.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 90 W, 10-Pin PowerPack
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 222 A 300 W, 10-Pin PowerPack
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 396 A 319 W, 10-Pin PowerPack
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 183 W, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -80 V / -175 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -80 V / -128 A 468 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24.5 A 55 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 16 A 45 W, 8-Pin SO-8