Vishay SQ3583CEV N-Kanal, P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 20 V / 4.7 A 1.67 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 736-343
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3583CEV-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3583CEV-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal, P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Serie | SQ3583CEV | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.077Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.67W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal, P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Serie SQ3583CEV | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.077Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.67W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Dual-MOSFET von Vishay wurde für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit entwickelt. Diese Komponente nutzt die TrenchFET-Technologie, um ein effizientes Energiemanagement in einem kompakten TSOP-6-Gehäuse zu ermöglichen.
Qualifiziert für den Einsatz im Automobilbereich gemäß AEC-Q101-Standards
Unterliegt 100 % Rg- und UIS-Tests, um eine robuste Leistung zu gewährleisten
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