STMicroelectronics ST8L65N0 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET N 650 V / 35 A 167 W, 5-Pin PowerFlat HV
- RS Best.-Nr.:
- 762-551
- Herst. Teile-Nr.:
- ST8L65N050DM9
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerFlat HV | |
| Serie | ST8L65N0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 107nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerFlat HV | ||
Serie ST8L65N0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 107nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal Super Junction Power MOSFET von STMicroelectronics ist ein hocheffizientes Stromversorgungsgerät, das auf der Advanced MDmesh M9 Super Junction-Technologie basiert. Er wurde für Anwendungen mit mittlerer bis hoher Spannung entwickelt, bei denen geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten von entscheidender Bedeutung sind.
Sehr niedriger FOM
Höhere dv/dt-Fähigkeit
Ausgezeichnete Schaltleistung
100 % Avalanche-getestet
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