Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 26.6 A 111 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 762-920
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 111W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 111W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.
Extrem niedrige Schaltverluste
Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems
Erleichtert die einfache Bedienung und Integration
Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme
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