onsemi NTS4001N N-Kanal, Oberfläche Kleinsignal-MOSFET Erweiterungsmodus 30 V / 270 mA 330 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 765-284P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS4001NT1G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Kleinsignal-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 270mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | NTS4001N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.11mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 2.64mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Kleinsignal-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie NTS4001N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.11mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 2.64mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der MOSFET von onsemi wurde für Effizienz in Anwendungen mit geringem Stromverbrauch entwickelt und bietet bemerkenswerte Leistungsmerkmale für Innovationen in verschiedenen elektronischen Geräten. Mit seinem kompakten SC-70-Gehäuse zeichnet sich dieser Einzel-N-Kanal-MOSFET durch seine niedrige Gate-Ladung aus, die schnelle Schaltfunktionen ermöglicht und gleichzeitig einen robusten ESD-Schutz gewährleistet. Das Gerät unterstützt eine maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V und einen kontinuierlichen Ablassstrom von 270 mA, womit es ideal für Anwendungen wie batteriebetriebene Geräte und Abwärtswandler ist. Es wurde mit Blick auf Zuverlässigkeit gebaut und entspricht den AEC-Q101-Normen, ist aber gleichzeitig RoHS-konform, was das Engagement von onsemi für Nachhaltigkeit und Qualität unterstreicht.
Geringe Gate-Ladung erleichtert schnelles und effizientes Schalten
Die kompakte Grundfläche ist 30 % kleiner als herkömmliche TSOP-6-Gehäuse und spart Platz auf der Leiterplatte
ESD-Schutz erhöht die Langlebigkeit des Geräts und die Zuverlässigkeit der Leistung
AEC-Q101-qualifiziert, um Robustheit für Automobilanwendungen und Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit zu gewährleisten
Pb-frei und RoHS-konform, entspricht den Umweltstandards
Vielseitige Anwendungen umfassen Low-Side-Lastschalter und tragbare Elektronik
Unterstützt einen breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C für vielfältige Betriebsumgebungen
Einfache Integration in Designs mit vereinfachtem Gehäuselayout für die Oberflächenmontage