ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A 33 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB
- RS Best.-Nr.:
- 780-660P
- Herst. Teile-Nr.:
- RH7G04DBKFRATCB
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN3333T8LSAB | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23.9Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Breite | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN3333T8LSAB | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23.9Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Breite 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Power-MOSFET von ROHM bietet leistungsstarkes N-Kanal-Schalten für das Energiemanagement im Automobilbereich. Dieses robuste Gerät wurde für ADAS- und Infotainment-Systeme entwickelt und gewährleistet eine effiziente Leistung in Hochtemperaturumgebungen bis zu 175 °C.
Drain-Quellenspannung von 40 V
Kontinuierlicher Ablassstrom von 40 A
12,6 mOhm typischer Einschaltwiderstand
Hohe Verlustleistung von 33 W