Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 100 V / 58 A 115 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 790-423
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ114EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0119Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 75nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 115W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0119Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 115W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Automotive bietet eine hervorragende Leistung als Leistungsschaltgerät. Er wurde für hocheffiziente Anwendungen entwickelt und bietet eine hervorragende thermische Leistung und Antriebsfähigkeit.
PowerPAK SO-8L-Gehäuse für kompaktes Design
AEC Q101 qualifiziert für Automobilanwendungen
Die Drain-Source-Nennspannung von 100 V gewährleistet Zuverlässigkeit
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 0,0119 Ω bei 10 V verbessert die Effizienz
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