Microchip mSiC N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V / 119 A, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 813-816
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC017SMA120B4N
- Marke:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 119A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | mSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 194nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 41.42mm | |
| Breite | 16.13mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 119A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie mSiC | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 194nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 41.42mm | ||
Breite 16.13mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Microchip bietet eine außergewöhnliche Leistung für Hochspannungsanwendungen und integriert die Siliziumkarbid-Technologie für effizientes Energiemanagement und thermische Leistung in industriellen Umgebungen.
AEC-Q101-qualifizierte Option bietet Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen
Niedrige Kapazitäten und Gate-Ladung ermöglichen schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Stabiler Betrieb bei Temperaturen von bis zu 175 °C gewährleistet Langlebigkeit
Hervorragende Avalanche-Robustheit verbessert die Zuverlässigkeit des Systems
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