DiodesZetex Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 900 mA 850 mW, 3-Pin E-Leitung
- RS Best.-Nr.:
- 841-306
- Herst. Teile-Nr.:
- ZVN4310A
- Marke:
- DiodesZetex
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 900mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | E-Leitung | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 850mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.77mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.01mm | |
| Breite | 2.41 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 900mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße E-Leitung | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 850mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.77mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.01mm | ||
Breite 2.41 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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