Microchip DN1509 N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 90 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 849-964
- Herst. Teile-Nr.:
- DN1509T-V/C6X
- Marke:
- Microchip
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|---|---|---|
| 3000 + | CHF 0.535 | CHF 1'611.96 |
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- RS Best.-Nr.:
- 849-964
- Herst. Teile-Nr.:
- DN1509T-V/C6X
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DN1509 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.86nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS3 Compliant | |
| Breite | 1.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DN1509 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.86nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS3 Compliant | ||
Breite 1.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der MOSFET von Microchip ist ein N-Kanal-Transistor mit Depletion-Modus, der für effizientes Schalten und Verstärken entwickelt wurde und eine hohe Eingangsimpedanz und eine überlegene thermische Leistung für verschiedene Anwendungen gewährleistet.
Hohe Eingangsimpedanz verbessert die Schaltkreisstabilität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die Reaktionszeiten in Anwendungen
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand sorgt für effiziente Stromverarbeitung
Frei von thermischem Auslauf und Sekundärbruch erhöht die Zuverlässigkeit