Microchip DN1509 N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 90 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 849-964
- Herst. Teile-Nr.:
- DN1509T-V/C6X
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme (3000 Stück, auf einer Rolle mit 3000)*
CHF 1'605.00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF 0.535 | CHF 1'611.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 849-964
- Herst. Teile-Nr.:
- DN1509T-V/C6X
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DN1509 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.86nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS3 Compliant | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DN1509 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.86nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS3 Compliant | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der MOSFET von Microchip ist ein N-Kanal-Transistor mit Depletion-Modus, der für effizientes Schalten und Verstärken entwickelt wurde und eine hohe Eingangsimpedanz und eine überlegene thermische Leistung für verschiedene Anwendungen gewährleistet.
Hohe Eingangsimpedanz verbessert die Schaltkreisstabilität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die Reaktionszeiten in Anwendungen
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand sorgt für effiziente Stromverarbeitung
Frei von thermischem Auslauf und Sekundärbruch erhöht die Zuverlässigkeit