Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET 650 V / 87 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-499
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHL033N60SF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 851-499
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHL033N60SF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.04Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Breite | 5.25mm | |
| Länge | 6.05mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.04Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Breite 5.25mm | ||
Länge 6.05mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Schaltanwendungen entwickelt und bietet Zuverlässigkeit und Leistung mit fortschrittlicher Halbleitertechnologie. Ideal für Systeme, die ein robustes Energiemanagement erfordern.
Die Technologie der neuesten Generation der SF-Serie erhöht die Effizienz
Niedrige Leistungsfaktor reduziert Energieverluste während des Betriebs
Avalanche-Energie-zertifiziert für zusätzliche Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen
Materialkategorisierung gemäß globalen Standards