Vishay SQ P-Kanal, SMD MOSFET P -80 V / -48 A 136 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 878-894
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD50P08-28_NE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 878-894
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD50P08-28_NE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -80V | |
| Serie | SQ | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.22mm | |
| Breite | 6.73mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -80V | ||
Serie SQ | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.22mm | ||
Breite 6.73mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- GB
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay bietet eine außergewöhnliche Leistung mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 80 V und einer Nenntemperatur von 175 °C. Diese Komponente wurde entwickelt, um die Effizienz in Automobilanwendungen zu verbessern.
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Qualifiziert nach AEC-Q101 für Automobilzuverlässigkeit
Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 48 A mit einem Spitzenwert von 190 A
Optimierter RDS(on) von 0,028 Ohm bei VGS = -10 V
Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG