Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 266 A 263 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-969
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ140EP-T1_NE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück, auf einem Band mit 1)*
CHF 1.35
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 1.35 |
| 10 - 24 | CHF 0.89 |
| 25 - 99 | CHF 0.53 |
| 100 - 499 | CHF 0.51 |
| 500 + | CHF 0.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 904-969
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ140EP-T1_NE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 266A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 263W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 4.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 266A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 263W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 4.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- GB
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet eine zuverlässige Schaltleistung und einen effizienten Betrieb für Automobilanwendungen und anspruchsvolle Umgebungen und gewährleistet ein optimales Energiemanagement und eine längere Lebensdauer des Geräts.
AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen
Die TrenchFET Gen IV-Technologie optimiert die Schalteigenschaften
Niedriger On-State-Widerstand verbessert die Gesamteffizienz
Großer Betriebstemperaturbereich von -55 bis +175 °C