Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 330 A 205 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-978
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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CHF 3.14
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Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 3.14 |
| 10 - 24 | CHF 2.04 |
| 25 - 99 | CHF 1.21 |
| 100 - 499 | CHF 1.17 |
| 500 + | CHF 1.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 904-978
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.000995Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Breite | 5mm | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.000995Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Breite 5mm | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Vorgänge entwickelt, insbesondere zur Bewältigung von Leistungsverlusten im Zusammenhang mit der Leitfähigkeit in elektronischen Anwendungen. Diese Komponente zeichnet sich durch ihre robuste Konstruktion und Langlebigkeit unter verschiedenen Bedingungen aus.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet eine hervorragende Leistung bei minimalem Leistungsverlust
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 60 V, sorgt für Stabilität in Hochspannungsumgebungen
Niedriger On-State-Widerstand maximiert die Effizienz in Power-Management-Anwendungen
Entwickelt mit verbesserter Verlustleistung für weniger thermische Probleme