Microchip MSCSMC N-Kanal, Direkt MOSFET-Module 1.2 kV Erweiterungsmodus / 236 A 604 W, 33-Pin Modul

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF 123.32

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +CHF 123.32

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
931-017
Herst. Teile-Nr.:
MSCSMC120AM04TBZ2EG
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET-Module

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

236A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

Modul

Serie

MSCSMC

Montageart

Direkt

Pinanzahl

33

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Maximale Verlustleistung Pd

604W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

4.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

726nC

Gate-Source-spannung max Vgs

21V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

62.8mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.4mm

Länge

56.7mm

Automobilstandard

Nein

Das fortschrittliche Siliziumkarbid-Leistungsmodul von Microchip bietet außergewöhnliche Leistung in hocheffizienten Anwendungen, insbesondere in anspruchsvollen Umgebungen, die ein robustes Energiemanagement und thermische Fähigkeiten erfordern.

SiC-Technologie gewährleistet geringe Schalt- und Leitungsverluste

Integrierter Thermistor ermöglicht eine effektive Temperaturüberwachung

Niedriger Wärmewiderstand ermöglicht effiziente Wärmeableitung

Extrem geringes Gewicht und Profil tragen zur Designflexibilität bei

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.