Infineon Isoliert OptiMOS™ Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 110-7129P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL316CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 60 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.15.12
Auf Lager
- 31’080 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 60 + | CHF.0.252 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7129P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL316CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.86V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Distrelec Product Id | 304-36-975 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.86V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.6 mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Distrelec Product Id 304-36-975 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM-MOSFET mit zweifacher Leistung
MOSFET-Transistoren, Infineon
Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.