Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.2 A 1 W, 4-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 110-7170P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS606NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 30.30
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 450 | CHF 0.303 |
| 500 - 950 | CHF 0.293 |
| 1000 - 2450 | CHF 0.232 |
| 2500 + | CHF 0.202 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7170P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS606NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.5mm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.5mm | ||
Länge 4.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 3 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 3,2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS606NH6327XTSA1
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger RDS(on) von 90 mΩ reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• 3,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Ansteuerung mäßiger Lasten
• Die Durchlassspannung von 1,1 V minimiert den Spannungsabfall bei der Leitung der Diode
• Die typische Gate-Ladung von 3,7 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereiche
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz in Gate-Treiber-Schnittstellen für Motorsteuerungen
• Kann zum Schalten von Lasten in Telematikmodulen verwendet werden
• Geeignet für die Stromverteilung in eingebetteten Systemen
