Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 46 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 110-7766P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N04S408ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 110-7766P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N04S408ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon OptiMOS-T2 Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD50N04S408ATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor mit 40 V, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für die Anforderungen der Automobilindustrie ausgelegt, wodurch er sich für robuste elektronische Leistungsstufen eignet, bei denen eine effiziente Leitfähigkeit und thermische Beständigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 7,9 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für höhere Effizienz
• 50 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht das Schalten hoher Ströme
• 17,2 nC typische Gate-Ladung beschleunigt Schaltübergänge
• Die maximale Verlustleistung von 46 W bewältigt die thermische Belastung im Betrieb
• Maximale Gate-Toleranz von 20 V schützt vor Gate-Überspannung
• Verbesserungsmodus N-Kanal bietet eine unkomplizierte gate-gesteuerte Steuerung
• 50 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht das Schalten hoher Ströme
• 17,2 nC typische Gate-Ladung beschleunigt Schaltübergänge
• Die maximale Verlustleistung von 46 W bewältigt die thermische Belastung im Betrieb
• Maximale Gate-Toleranz von 20 V schützt vor Gate-Überspannung
• Verbesserungsmodus N-Kanal bietet eine unkomplizierte gate-gesteuerte Steuerung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für 12-V-Stromverteilungsschritte im Automobilbereich
• Ideal für synchrone Abwärtswandler-Ausgangsstufen
• Verwendung mit Motorantriebs-Halbbrückenschaltkreisen
• Kann für Hochstrom-DC/DC-Wandlungsmodule verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement in industriellen Steuergeräten
• Ideal für synchrone Abwärtswandler-Ausgangsstufen
• Verwendung mit Motorantriebs-Halbbrückenschaltkreisen
• Kann für Hochstrom-DC/DC-Wandlungsmodule verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement in industriellen Steuergeräten
Welchem Umgebungsbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Er funktioniert von -55 °C bis 175 °C und eignet sich für extreme Kaltstarts und Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Wie wirkt sich die Verpackung auf die Montage und den Wärmeweg aus?
Das oberflächenmontierbare TO‐252-Gehäuse bietet eine kompakte Grundfläche und einen direkten Wärmeweg zur Leiterplatte zur Wärmeableitung.
Welche Überlegungen sind für eine zuverlässige Schaltung erforderlich?
Die Antriebsspannungen sollten innerhalb von ±20 V der Gate-Source-Nennleistung bleiben und ausreichen, um den Kanal für niedrige Rds(on) vollständig zu verbessern.
Wie verhält sich das Gerät bei kontinuierlicher hoher Last?
Er unterstützt einen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 50 A bei einer Verlustleistung von bis zu 46 W, was ein geeignetes Leiterplatten-Thermendesign zur Aufrechterhaltung der Sperrschichttemperaturen erfordert.