onsemi Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963
- RS Best.-Nr.:
- 121-6311
- Herst. Teile-Nr.:
- NTUD3170NZT5G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Kleines Signal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 280mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-963 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 400μm | |
| Breite | 850μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Kleines Signal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-963 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 400μm | ||
Breite 850μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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