onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963
- RS Best.-Nr.:
- 121-6311
- Herst. Teile-Nr.:
- NTUD3170NZT5G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 121-6311
- Herst. Teile-Nr.:
- NTUD3170NZT5G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Kleines Signal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 280mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-963 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Länge | 1.05mm | |
| Breite | 0.85 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Kleines Signal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-963 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Höhe 0.4mm | ||
Länge 1.05mm | ||
Breite 0.85 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 280 mA 200 mW, 6-Pin SOT-963
- onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 430 mA 280 mW, 6-Pin SOT-563
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 540 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 910 mA 550 mW, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 1.33 A 530 mW, 6-Pin SOT-563
- ROHM Isoliert EM6K6 Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 300 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- onsemi NDS7002A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 280 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563