onsemi NTF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.9 A 3.13 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 121-6486
- Herst. Teile-Nr.:
- NTF5P03T3G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 121-6486
- Herst. Teile-Nr.:
- NTF5P03T3G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | NTF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.13W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie NTF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.13W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7 mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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