DiodesZetex DMG1012UW-7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 290 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 122-0203
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1012UW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.243.00
Vorübergehend ausverkauft
- 6'000 Einheit(en) mit Versand ab 30. September 2026
- Zusätzlich 9'000 Einheit(en) mit Versand ab 07. Oktober 2026
- Zusätzlich 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 14. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | CHF 0.081 | CHF 230.28 |
| 9000 + | CHF 0.071 | CHF 215.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 122-0203
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1012UW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | DMG1012UW-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.74nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie DMG1012UW-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.74nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMG1012UW-7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 290 mW, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMN53D0LW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 360 mA 420 mW, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.5 A 250 mW, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.1 A 700 mW, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMN3065LW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4 A 770 mW, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMN601WK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 200 mW, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMG1013UW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 820 mA 310 mW, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 200 mW, 3-Pin SC-70