DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 100 V / 1 A, 850 mA 1,36 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 122-1421
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC10A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
Voraussichtlich ab 15.04.2025 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)
CHF.0.588
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 2500 + | CHF.0.588 | CHF.1'456.875 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 122-1421
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC10A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N, P |
| Dauer-Drainstrom max. | 1 A, 850 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,45 Ω, 900 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 1,36 W |
| Transistor-Konfiguration | Vollbrücke |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 |
| Breite | 4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,9 nC @ 10 V, 3,5 nC @ 50 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5mm |
| Höhe | 1.5mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 122-1421
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC10A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex