- RS Best.-Nr.:
- 122-1424
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3F381N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
22500 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)
CHF.0.567
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
2500 + | CHF.0.567 | CHF.1'428.00 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 122-1424
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3F381N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N, P |
Dauer-Drainstrom max. | 4,1 A; 4,98 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ, 80 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Verlustleistung max. | 1,35 W |
Transistor-Konfiguration | Vollbrücke |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
Breite | 4mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 4 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.5mm |
- RS Best.-Nr.:
- 122-1424
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3F381N8TC
- Marke:
- DiodesZetex