ZXMHC3F381N8TC N/P-Kanal, Quad MOSFET, 30 V / 4,1 A; 4,98 A, 1,35 W, SOIC 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 122-1424
  • Herst. Teile-Nr. ZXMHC3F381N8TC
  • Marke DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.

MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N, P
Dauer-Drainstrom max. 4,1 A; 4,98 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ, 80 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Verlustleistung max. 1,35 W
Transistor-Konfiguration Vollbrücke
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 4
Länge 5mm
Breite 4mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9 nC @ 10 V
Höhe 1.5mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
2500 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2500)
CHF .0.468
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 5000
CHF.0.468
CHF.1'167.240
7500 +
CHF.0.445
CHF.1'117.508
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