DiodesZetex Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 6.4 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)*

CHF.378.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 500 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
500 +CHF.0.756CHF.378.53

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
122-1450
Herst. Teile-Nr.:
ZXMC3A16DN8TA
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links