DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 1.3 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 122-3246
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG6601LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.222.00
Auf Lager
- 18’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | CHF.0.074 | CHF.223.65 |
| 9000 + | CHF.0.074 | CHF.217.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 122-3246
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG6601LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 1.6 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,6 A, 3,3 A 1,1 W, 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A, 3,3 A 1,1 W, 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 400 mW, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,5 A 1,5 W, 6-Pin TSOT-26
- onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 8 V / 1,3 A 400 mW, 6-Pin SOT-363
- onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A; 7 A 1,3 W, 8-Pin ECH
- ROHM QH8MB5 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,5 A, 5 A, 8-Pin TSMT-8
- onsemi NTMC0 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A, 8-Pin SOIC