DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 4.7 A 2.1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 122-3286
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMC4559DN8TA
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 122-3286
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMC4559DN8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 4.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 4.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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