DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 4.7 A 2.1 W, 8-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
122-3286
Herst. Teile-Nr.:
ZXMC4559DN8TA
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.85V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.95mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links