DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A; 4,7 A 2,1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 122-3286
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMC4559DN8TA
- Marke:
- DiodesZetex
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- 122-3286
- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,6 A; 4,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ, 125 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 4.95mm | |
| Breite | 3.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,6 A; 4,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 75 mΩ, 125 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 4.95mm | ||
Breite 3.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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