onsemi Isoliert PowerTrench Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.7 A 960 mW, 6-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
124-1358
Herst. Teile-Nr.:
FDC6327C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

270mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.25nC

Maximale Verlustleistung Pd

960mW

Durchlassspannung Vf

0.76V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Breite

1.7 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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