Teile-Nr.

Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 59 A 89 W, 4-Pin SOT-669

RS Best.-Nr.:: 124-2405
Herst. Teile-Nr.:: PSMN012-60YS,115
Marke:: Nexperia

Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 59 A 89 W, 4-Pin SOT-669

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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CHF.1’165.50

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1500 +	CHF.0.777	CHF.1’173.38

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RS Best.-Nr.:: 124-2405
Herst. Teile-Nr.:: PSMN012-60YS,115
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	59A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SOT-669
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	17.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	28.4nC
	Maximale Verlustleistung Pd	89W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Länge	5mm
	Breite	4.1 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SOT-669
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28.4nC
	Maximale Verlustleistung Pd 89W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Länge 5mm
	Breite 4.1 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: PH

Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 59 A 89 W, 4-Pin SOT-669

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

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