Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 272 W, 4-Pin SOT-669

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 1500 Stück)*

CHF.1’528.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1500 +CHF.1.019CHF.1’534.05

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-2408
Herst. Teile-Nr.:
PSMN0R9-25YLC,115
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

272W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


Verwandte Links