Nexperia Einfach N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 100 A 306 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 124-2412
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R0-60PS,127
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 124-2412
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R0-60PS,127
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 100 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 306 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Höhe | 16 mm | |
| Länge | 10.3 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 3 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 100 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 306 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Höhe 16 mm | ||
Länge 10.3 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 3 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 4.7 mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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