onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.5 A 2.3 W, 6-Pin WDFN

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RS Best.-Nr.:
124-5405
Herst. Teile-Nr.:
NTLJD4116NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

0.78V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2 mm

Länge

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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