Infineon HEXFET IRF4905SPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 124-8993
Herst. Teile-Nr.:: IRF4905SPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF4905SPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Im Warenkorb

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

CHF.0.588

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 +	CHF.0.588	CHF.29.505
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 124-8993
Herst. Teile-Nr.:: IRF4905SPBF
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MX

Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	74 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.54mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	8.81mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.69mm

RS Best.-Nr.:: 124-8993
Herst. Teile-Nr.:: IRF4905SPBF
Marke:: Infineon