Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 2.1 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 124-9038
Herst. Teile-Nr.:: BSZ100N06LS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 2.1 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 124-9038
Herst. Teile-Nr.:: BSZ100N06LS3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	17.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Maximale Verlustleistung Pd	2.1W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	3.4mm
	Länge	3.4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Maximale Verlustleistung Pd 2.1W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 3.4mm
	Länge 3.4mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: DE

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

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MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 2.1 W, 8-Pin TDSON

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

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