Teile-Nr.

Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 125-0598P
Herst. Teile-Nr.:: TK8Q60W,S1VQ(S
Marke:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*

CHF.17.35

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Stück	Pro Stück
50 - 90	CHF.0.347
100 - 240	CHF.0.336
250 - 490	CHF.0.326
500 +	CHF.0.315

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 125-0598P
Herst. Teile-Nr.:: TK8Q60W,S1VQ(S
Marke:: Toshiba

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	8 A
	Drain-Source-Spannung max.	600 V
	Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
	Serie	DTMOSIV
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	500 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
	Gate-Schwellenspannung min.	2.7V
	Verlustleistung max.	80 W
	Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	18,5 nC bei 10 V
	Länge	6.65mm
	Breite	2.3mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Diodendurchschlagsspannung	1.7V
	Höhe	7.12mm

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 8 A
	Drain-Source-Spannung max. 600 V
	Gehäusegröße IPAK (TO-251)
	Serie DTMOSIV
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 500 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3.7V
	Gate-Schwellenspannung min. 2.7V
	Verlustleistung max. 80 W
	Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 18,5 nC bei 10 V
	Länge 6.65mm
	Breite 2.3mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Diodendurchschlagsspannung 1.7V
	Höhe 7.12mm

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