Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,8 A 80 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 125-0599P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK8Q65W,S1Q(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.17.175
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF.0.687 |
| 50 - 120 | CHF.0.667 |
| 125 - 245 | CHF.0.646 |
| 250 + | CHF.0.626 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-0599P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK8Q65W,S1Q(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 670 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 80 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.65mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.7V | |
| Höhe | 7.12mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Serie DTMOSIV | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 670 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 80 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 16 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.65mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.7V | ||
Höhe 7.12mm | ||