Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 14.1 A 98 W, 3-Pin TO-252

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130-0897P
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R380CEAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Verlustleistung Pd

98W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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