Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 130-0898P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R1K0CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 61W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 61W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 6,8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 61 W maximale Verlustleistung - IPD60R1K0CEAUMA1
Dieser Hochspannungs-MOSFET wurde entwickelt, um die Leistung in verschiedenen Leistungsanwendungen zu verbessern. Er eignet sich für Systeme, die robuste Schaltfunktionen erfordern, und bedient Branchen wie Automatisierung und Elektronik. Die CoolMOS-Technologie basiert auf dem Superjunction-Prinzip und gewährleistet Effizienz und Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Verringerung der Schalt- und Leitungsverluste erhöht die Effizienz
• Robuste Body-Diode widersteht harter Kommutierung für erhöhte Zuverlässigkeit
• Niedrige Gate-Ladungscharakteristik vereinfacht die Anforderungen an den Treiber während des Betriebs
• Verbesserte ESD-Robustheit fördert die Haltbarkeit in schwierigen Umgebungen
• Geeignet für harte und weiche Schaltanwendungen, optimiert die Leistung
Anwendungsbereich
• Einsatz in Leistungsfaktorkorrekturstufen für ein effektives Energiemanagement
• Einsatz in hart schaltenden PWM-Stufen für effiziente Leistungsumwandlung und -steuerung
• Nahtlose Integration in resonante Schaltstufen für verschiedene Geräte
• Geeignet für mehrere Bereiche, darunter Beleuchtung, Server und Telekommunikationsgeräte
Wie wirkt sich das Schaltverhalten auf die Energieeffizienz im Betrieb aus?
Das Schaltverhalten ist wichtig, da geringere Schaltverluste zu einem höheren Gesamtwirkungsgrad beitragen, was zu einem kühleren Betrieb und einer geringeren Wärmeentwicklung führt, was die Langlebigkeit des Systems unterstützt.
Welche Schutzmaßnahmen werden bei der Installation empfohlen?
Die Verwendung von Ferritperlen an den Gattern oder separaten Totempfählen ist ratsam, um das Klingeln zu verringern und einen stabilen Betrieb beim Schalten zu gewährleisten.
Kann es unter extremen Temperaturbedingungen effektiv arbeiten?
Der MOSFET ist für den Betrieb zwischen -40°C und +150°C ausgelegt und ermöglicht eine zuverlässige Funktion unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.
Was ist bei der Parallelschaltung mehrerer Geräte zu beachten?
Für eine effektive Parallelschaltung sollten geeignete Gate-Treibertechniken eingesetzt werden, um eine ausgewogene Stromverteilung zwischen den Geräten zu erreichen und die Leistung zu optimieren.
Welche Auswirkungen haben die Höchstwerte auf die Systemauslegung?
Die Kenntnis der maximalen Nennwerte, wie z. B. des kontinuierlichen Drainstroms und der Spannungsgrenzen, ist für die Systementwicklung von entscheidender Bedeutung, um ein Überschreiten dieser Schwellenwerte zu vermeiden und die Leistung und Zuverlässigkeit der Anwendungen zu gewährleisten.