Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN

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Herst. Teile-Nr.:
IRF6648TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

MN

Serie

DirectFET, HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.35mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.05mm

Höhe

500μm

Automobilstandard

Nein

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Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.

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Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.

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Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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