Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 44 A 156 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 130-0975P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5015TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 130-0975P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5015TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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