- RS Best.-Nr.:
- 133-0151
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17308Q3T
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 133-0151
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17308Q3T
- Marke:
- Texas Instruments
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | VSON-CLIP |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 16,5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.8V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.9V |
Verlustleistung max. | 28 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –8 V, +10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 3.4mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,4 nC |
Länge | 3.4mm |
Höhe | 1.1mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Serie | NexFET |
- RS Best.-Nr.:
- 133-0151
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17308Q3T
- Marke:
- Texas Instruments