- RS Best.-Nr.:
- 133-0153
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18536KTTT
- Marke:
- Texas Instruments
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- 133-0153
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18536KTTT
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 349 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Serie | NexFET |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2,2 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.4V |
Verlustleistung max. | 375 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 230 nC bei 10 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 10.67mm |
Breite | 11.33mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1V |
Höhe | 4.83mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 133-0153
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18536KTTT
- Marke:
- Texas Instruments