- RS Best.-Nr.:
- 133-0155
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19537Q3T
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 133-0155
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19537Q3T
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 53 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | VSON-CLIP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16,6 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.6V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.6V |
| Verlustleistung max. | 83 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 3.4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Länge | 3.4mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.1mm |
| Serie | NexFET |
- RS Best.-Nr.:
- 133-0155
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19537Q3T
- Marke:
- Texas Instruments