ROHM SCT2H12NZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 3.7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM

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Herst. Teile-Nr.:
SCT2H12NZGC11
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Serie

SCT2H12NZ

Gehäusegröße

TO-3PFM

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

35W

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Durchlassspannung Vf

4.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

21mm

Länge

16mm

Normen/Zulassungen

Pb-free lead plating, RoHS

Breite

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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