ROHM RF4E110GN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 133-3281P
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4E110GNTR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 125 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.34.125
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 125 - 225 | CHF.0.273 |
| 250 - 1225 | CHF.0.263 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.252 |
| 2500 + | CHF.0.242 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-3281P
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4E110GNTR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | RF4E110GN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,4 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.1mm | |
| Breite | 2.1mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie RF4E110GN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 16,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,4 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.1mm | ||
Breite 2.1mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor