DiodesZetex Doppelt DMC3016LDV Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 21 A 1.8 W, 8-Pin PDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 133-3340P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3016LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 46.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 480 | CHF 0.465 |
| 500 - 980 | CHF 0.444 |
| 1000 - 1980 | CHF 0.434 |
| 2000 + | CHF 0.424 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-3340P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3016LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PDI3333 | |
| Serie | DMC3016LDV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 700mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 800μm | |
| Länge | 3.15mm | |
| Breite | 3.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PDI3333 | ||
Serie DMC3016LDV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Durchlassspannung Vf 700mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 800μm | ||
Länge 3.15mm | ||
Breite 3.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN