Nexperia BSH205G2 BSH205G2R P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 6,25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 136-4786
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH205G2R
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Serie | BSH205G2 |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 170 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.95V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.45V |
| Verlustleistung max. | 6,25 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Länge | 3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,7 nC @ –4,5 V |
| Breite | 1.4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
- RS Best.-Nr.:
- 136-4786
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH205G2R
- Marke:
- Nexperia