onsemi NVTFS5C658NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 109 A 114 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 141-3554
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS5C658NLTAG
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 109A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | NVTFS5C658NL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 3.15 mm | |
| Länge | 3.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 109A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie NVTFS5C658NL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 3.15 mm | ||
Länge 3.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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