onsemi NVD5C668NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 49 A 44 W, 3-Pin NVD5C668NLT4G TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 141-7216
- Herst. Teile-Nr.:
- NVD5C668NLT4G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.279 | CHF.11.41 |
| 50 - 95 | CHF.1.964 | CHF.9.84 |
| 100 - 495 | CHF.1.701 | CHF.8.53 |
| 500 - 995 | CHF.1.502 | CHF.7.50 |
| 1000 + | CHF.1.365 | CHF.6.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 141-7216
- Herst. Teile-Nr.:
- NVD5C668NLT4G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | NVD5C668NL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 44W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie NVD5C668NL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 44W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
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