ROHM BSM Typ N-Kanal 2, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 300 A 1875 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
144-2260
Herst. Teile-Nr.:
BSM300D12P2E001
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

BSM

Montageart

SMD

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1875W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

17mm

Länge

152mm

Breite

57.95 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Ursprungsland:
JP

SiC-Stromversorgungsmodule, ROHM


Das Modul besteht aus einem Siliziumkarbid (SiC) DMOS-Leistungs-FET-Gerät mit einer Schottky-Barriere-Diode (SBD) über den Ablass und die Quelle.

Halbbrückenkonfiguration

Niedriger Überspannungsstrom

Niedrige Schaltverluste

Hochgeschwindigkeitsschalten

Niedrige Betriebstemperatur

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


Note

Das SiC-Stromversorgungsmodul BSM180D12P2C101 enthält keine Schottky-Barriere-Dioden.

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